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壓敏電阻|防爆壓敏電阻|過壓保護|防雷

東莞市源林電子科技有限公司
  • 經(jīng)營模式:生產(chǎn)加工
  • 地址:廣東省東莞市長安鎮(zhèn)烏沙興發(fā)北路5號3號樓
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業(yè)務(wù)熱線:134 2311 8663
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    • 產(chǎn)品品牌:臺灣興勤
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    老化機理:

    曾經(jīng)被認為是老化的起因的有電子陷阱,偶極子轉(zhuǎn)向,氧脫附和離子遷移,目前能證實的只有填隙鋅離子遷移。一般認為老化是晶界現(xiàn)象,是由于耗盡層內(nèi)離子遷移,而Zni是主要的遷移離子。

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    非線性區(qū)域:

    中電場區(qū)為非線性區(qū)域,也是壓敏電阻器應(yīng)用中重要的區(qū)域,導(dǎo)電機理主要是隧道電流及空穴生成降低勢壘。如只考慮隧道效應(yīng)J = J0exp(-λ/E),λ為3π(2m)1/2φ3/2/2he,E為耗盡層中的電場強度,算出的a值低于50。

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    壓敏電阻的物理特性:

    ZnO 壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現(xiàn)象,即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數(shù)電荷載流子(電子)的勢壘。認 為肖特基勢壘像 ZnO 微結(jié)構(gòu)中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負表面電荷(電子捕獲)是由晶界面兩側(cè)晶粒的耗盡 層的正電荷來補償?shù)摹犭娮影l(fā)射和隧道效應(yīng)是主要的傳 輸機制。 近發(fā)展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩(wěn)電壓應(yīng)力下,壓敏電阻的穩(wěn)定性上取得了很大進展。

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