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ZnO是六方晶系纖鋅礦結構，其化學鍵處于離子鍵與共價鍵的中間鍵型狀態(tài)，氧離子以六方密堆，鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結構，開放的結構對缺陷的性質及擴散機制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負離子的配位數(shù)均為4，所以容易引入外部雜質，ZnO熔點為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學計量比的純凈ZnO應是絕緣體，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學計量比n型半導體。

Eda等認為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴散快，對壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。

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氧化鋅壓敏電阻器是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、經(jīng)典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導體陶瓷元件。氧化鋅陶瓷是由氧化鋅晶粒及晶界物質組成的，其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質而呈N型半導體，晶界物質中含有大量金屬氧化物形成大量界面態(tài)，這樣每一微觀單元是一個背靠背肖特基勢壘，整個陶瓷就是由許多背靠背肖特基墊壘串并聯(lián)的組合體。

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氧化鋅壓敏電阻器已廣泛應用于過電壓保護、浪涌吸收、過電流泄放等方面,是防護電氣電子設備因受雷電閃擊及其他瞬態(tài)電磁干擾造成傳導過電壓危害的有效器件,它的性能直接影響安全保護效果。因氧化鋅壓敏電阻在系統(tǒng)或設備運行中必然存在老化劣化現(xiàn)象,

故必須對其進行定期檢測,以防止老化劣化產(chǎn)品仍工作在系統(tǒng)或設備中。然而,目前檢測方法所判定的壓敏電壓U1mA和漏電流I

leakage兩個參數(shù)都存在拐點效應,即只有當MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才會出現(xiàn)顯著變化;而在這個拐點之前U1mA和

Ileakage都符合SJ/T10349-93測試標準的要求[8],這就給檢測結果帶來不確定性。某個產(chǎn)品自身已經(jīng)老化劣化到一定程度需要及時更換,但U1mA和Ileakage檢測值仍然合格。

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