壓敏電阻采購(gòu),就選源林電子,自有工廠
能量吸收能力:
能量吸收能力Wmax=Vmax·Imax·tmax其中Imax由降額曲線上查到;Vmax可從I-V特性曲線上讀取,對(duì)應(yīng)Imax時(shí)的電壓值;tmax可用矩形法求得,數(shù)據(jù)是用2ms方波,加100次脈沖,脈沖間隔120s,|ΔU1mA/ U1mA |≤10%所能吸收的能量。單位體積的能量吸收能力E上限為200-250J/cm3,也有報(bào)道超過1000J/cm3的
源林電子壓敏電阻免費(fèi)取樣,一個(gè)電話搞定!
壓敏電阻采購(gòu),就選源林電子,廠家直銷
氧化鋅壓敏電阻的功率損耗和阻性電流的增加:
在直流電壓作用下對(duì)氧化鋅壓敏電阻進(jìn)行加速老化試驗(yàn),試驗(yàn)結(jié)果表明,與交流電壓作用下壓敏電阻一樣,氧化鋅壓敏電阻的功率損耗和阻性電流在老化試驗(yàn)過程中明顯增加
源林電子的壓敏電阻器廣受贊譽(yù),可靠性高、性價(jià)比高,具有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,想了解更多溫度傳感器資料,歡迎來電咨詢!
壓敏電阻采購(gòu),就選源林電子,品類豐富
ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu),其化學(xué)鍵處于離子鍵與共價(jià)鍵的中間鍵型狀態(tài),氧離子以六方密堆,鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙,鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對(duì)開放的晶體結(jié)構(gòu),開放的結(jié)構(gòu)對(duì)缺陷的性質(zhì)及擴(kuò)散機(jī)制有影響,所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的,正負(fù)離子的配位數(shù)均為4,所以容易引入外部雜質(zhì),ZnO熔點(diǎn)為2248,密度為5.6g/cm3,純凈的ZnO晶體,其能帶由02-的滿的2p電子能級(jí)和Zn2+的空的4s能級(jí)組成,禁帶寬度為3.2~3.4eV,因此,室溫下,滿足化學(xué)計(jì)量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體,而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子,所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學(xué)計(jì)量比n型半導(dǎo)體。
Eda等認(rèn)為,在本征缺陷中,填隙鋅原子擴(kuò)散快,對(duì)壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。
由于壓敏電阻型號(hào)太多,每個(gè)客戶的個(gè)性化需求不一。想了解更多壓敏電阻的信息,請(qǐng)撥打圖片中的咨詢電話與我們?cè)戳蛛娮勇?lián)系,謝謝!
您好,歡迎蒞臨源林電子,歡迎咨詢...
![]() 觸屏版二維碼 |