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東莞市源林電子科技有限公司
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          限制電壓比

          限制電壓比是指在通流能力實驗中通過特定電流時加在壓敏電阻器兩端的電壓Up與壓敏電壓U1mA的比值。它體現了壓敏電阻器在大電流通過時的非線性特性,限制電壓比越小,越能起到保護電路的作用。通流值和限制電壓比一同反映了壓敏電阻工作特性的好壞,即是壓敏電阻通流值越大越能吸收浪涌電流,限制電壓比越小,分流作用就越明顯,保護特性就越好。




    源林電子是一家專業研發、生產壓敏電阻的高科技電子元器件企業。主營壓敏電阻熱敏電阻和溫度傳感器,自有研發團隊,廠家直銷!




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    壓敏電阻介入系統后,除了起到'安全閥'的保護作用外,還會帶入一些附加影響,這就是所謂'二次效應',它不應降低系統的正常工作性能。這時要考慮的因素主要有三項,一是壓敏電阻本身的電容量(幾十到幾萬PF),二是在系統電壓下的漏電流,三是壓敏電阻的非線性電流通過源阻抗的耦合對其他電路的影響。

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    ZnO晶相位于晶粒體內,為低電阻率的半導體,對大電流特性有決定性作用。ZnO半導化的原因主要是氧不足導致的非化學計量比和施主摻雜,有大量的導電電子存在,為n型半導體。富鉍相,約在750℃形成12/14 Bi2O3

    ·Cr2O3 ,溫度低于850℃參與形成焦綠石相,超過850℃后從焦綠石相中分離出來,生成含

    Cr的富鉍相,含有尖晶石相和Zn,隨著溫度的升高,Cr逐步移到尖晶石相中。

    Cr有穩定尖晶石相的作用,高溫冷卻時,可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成,850℃時達到峰值,約950℃時消失,

    反應式如下

    2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3


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