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ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu)，其化學(xué)鍵處于離子鍵與共價(jià)鍵的中間鍵型狀態(tài)，氧離子以六方密堆，鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對(duì)開放的晶體結(jié)構(gòu)，開放的結(jié)構(gòu)對(duì)缺陷的性質(zhì)及擴(kuò)散機(jī)制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負(fù)離子的配位數(shù)均為4，所以容易引入外部雜質(zhì)，ZnO熔點(diǎn)為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級(jí)和Zn2+的空的4s能級(jí)組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學(xué)計(jì)量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過(guò)剩(Zn1+xO)非化學(xué)計(jì)量比n型半導(dǎo)體。

Eda等認(rèn)為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴(kuò)散快，對(duì)壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。

由于壓敏電阻型號(hào)太多，每個(gè)客戶的個(gè)性化需求不一。想了解更多壓敏電阻的信息，請(qǐng)撥打圖片中的咨詢電話與我們?cè)戳蛛娮勇?lián)系，謝謝！

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漏電流IL

漏電流(mA)也稱等待電流，是指壓敏電阻器在規(guī)定的溫度和直流過(guò)壓敏電阻器電流。IEC對(duì)漏電流 IL較為普遍的定義是：環(huán)境溫度25℃時(shí)，在壓敏電阻上施加其所屬規(guī)格的連續(xù)直流工作電壓UDC時(shí)，流過(guò)壓敏電阻的直流電流。

一般而言，在材料配方和燒結(jié)工藝固定的情況下，漏電流適中的壓敏電阻具有較好的安全性和較長(zhǎng)的壽命。

源林電子的壓敏電阻器廣受贊譽(yù)，可靠性高、性價(jià)比高，具有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，想了解更多溫度傳感器資料，歡迎來(lái)電咨詢！

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氧化鋅壓敏電阻因具有良好的非線性特性而成為低壓電源系統(tǒng)和信息系統(tǒng)中電涌防護(hù)的主要設(shè)施。其可靠性主要取決于壓敏電阻耐受電涌沖擊的能力。一個(gè)性能良好的氧化鋅壓敏電阻在經(jīng)受電涌沖擊以后,其電氣特性應(yīng)返回到初始狀態(tài)。然而在運(yùn)行過(guò)程中,由于經(jīng)受諸如電應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力等各種應(yīng)力的作用,壓敏電阻會(huì)出現(xiàn)性能劣化和老化現(xiàn)象,這就降低了壓敏電阻電涌防護(hù)的能力。研究人員采用了多種測(cè)量及診斷裝置來(lái)研究壓敏電阻的老化機(jī)理及檢測(cè)金屬氧化物壓敏電阻內(nèi)部的狀態(tài)[1～2]。一般經(jīng)常采用的方法是測(cè)量直流1mA下壓敏電阻兩端的電壓或者測(cè)量壓敏電阻在一定幅值8/20電流沖擊下的殘壓來(lái)對(duì)壓敏電阻的電氣性能進(jìn)行分析判斷。但是這些測(cè)試方法只能反映壓敏電阻的整體性能,不能反映壓敏電阻的老化及劣化的程度,所以無(wú)法為判斷壓敏電阻的性能狀態(tài)提供可靠的判據(jù)。

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