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殘壓比KR  

通過壓敏電阻器的電流為某一值時(shí)，在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。

殘壓比KR的定義公式為：

KR =UR/UN

殘壓比可以比較直觀地反應(yīng)出壓敏電阻限制過電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應(yīng)用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標(biāo)準(zhǔn)電性能參數(shù)。

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峰值能量Em

峰值能量Em是指壓敏電阻能夠耗散的規(guī)定波形的浪涌電流或脈沖電流的能量。峰值能量是產(chǎn)品能夠承受規(guī)定次數(shù)的

2ms方波或10/1000us脈沖電流峰值，這是用戶選擇防護(hù)操作電壓用ZnO壓敏電阻器時(shí)的重要參考值。

源林電子的壓敏電阻廣受贊譽(yù)，可靠性高、性價(jià)比高，具有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，想了解更多壓敏電阻資料，歡迎來電咨詢！

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老化機(jī)理：

曾經(jīng)被認(rèn)為是老化的起因的有電子陷阱，偶極子轉(zhuǎn)向，氧脫附和離子遷移，目前能證實(shí)的只有填隙鋅離子遷移。一般認(rèn)為老化是晶界現(xiàn)象，是由于耗盡層內(nèi)離子遷移，而Zni是主要的遷移離子。

由于壓敏電阻型號(hào)太多，每個(gè)客戶的個(gè)性化需求不一，想了解更多壓敏電阻的信息，請(qǐng)撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！

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