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東莞市源林電子科技有限公司
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    電壓比與殘壓UR

    電壓比指壓敏電阻器的電流為1mA時產生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時產生的電壓值之比。

    殘壓UR是指特定波形的浪涌電流流入壓敏電阻器時,它兩端電壓的峰值。一般來說,流入壓敏電阻器的浪涌電流的峰值都在1mA以上,對通用壓敏電阻和防雷型壓敏電阻而言,所謂特定波形指的是IEC本60060-2: 1973標準規定的8/20 μs標準雷電流波形。

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    壓敏電壓

    壓敏電壓是指在電流為1mA時測得的壓敏電阻器兩端的電壓降,它沒考慮壓敏電阻器的尺寸;E0.5是指在電流為0.5mA/cm2下測得的加在壓敏電阻器上的電場強度;C值是指在電流為1A(也有的地方說1mA,但差別不大)時壓敏電阻器兩端的電壓降。在n個相同的壓敏電阻器串聯或并聯時C值的變化如下:

    a)串聯時電流不變,電壓增大n倍,這時C值提高n倍,可利用壓敏電阻器串聯來提高工作電壓。

                                              V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α

    b)并聯時電壓不變,電流增大n倍,C值幾乎不變,可利用壓敏電阻器的并聯來提高通流容量。

                                              I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α


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    氧化鋅壓敏電阻的缺陷:

    ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo,負一價和負二價的

    VZn ,正一價的DZn。VZn主要在晶界處,VZn為受主態,使晶粒表面形成一電子耗盡層而產生勢壘,約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩態,是老化產生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻,提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少,主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇,在晶界中形成大量的VZn和Vo,但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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