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東莞市源林電子科技有限公司
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    掃描電子顯微鏡(簡稱掃描電鏡,SEM)是繼透射電鏡之后發展起來的一種電鏡。與透射電鏡的成像方式不同,掃描電鏡是用聚焦電子束在樣品表面逐點掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆粒,成像信號可以是二次電子(被入射電子轟擊出來的樣品核外電子)、背散射電子(被固體樣品中原子反射回來的一部分入射電子)或吸收電子。其中二次電子為主要的成像信號。現以二次電子像的成像過程來說明掃描電鏡的工作原理。由電子槍發射的能量為5-35KeV的電子,以其交叉斑作為電子源,經二級聚光鏡及物鏡的縮小形成

    具有一定能量、一定束流強度和束斑直徑的微細電子束,在掃描線圈驅動下,于試樣表面按一定時間、空間順序作柵網式掃描。聚焦電子束與試樣相互作用,產生二次電子發射(以及其他物理信號),二次電子發射量隨試樣表面形貌而變化。二次電子信號被探測器收集轉換成電訊號,經視頻放大后輸入到顯像管柵極,調制與入射電子束同步掃描的顯像管亮度,得到反映試樣表面形貌的二次電子像。

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    壓敏電阻的物理特性:

    ZnO 壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現象,即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數電荷載流子(電子)的勢壘。認 為肖特基勢壘像 ZnO 微結構中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負表面電荷(電子捕獲)是由晶界面兩側晶粒的耗盡 層的正電荷來補償的。熱電子發射和隧道效應是主要的傳 輸機制。 近發展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩電壓應力下,壓敏電阻的穩定性上取得了很大進展。

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