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氧化鋅壓敏電阻在直流電壓作用下的老化：

在直流電壓的作用下，氧化鋅壓敏電阻的U-I曲線發(fā)生不對稱變化，即在施加電壓一段時間后，試驗時施加的電壓梯度為95V/mm，溫度為70℃。加壓后在測量壓敏電阻的U-I特性表明，在同樣的電壓下，流過壓敏電阻的電流將增加。

不對稱變化表現(xiàn)在：和老化試驗電壓極性相反的伏安特性的變化比極性一致的正方向特性右的變化要大。隨所施加電壓和加壓時間的增加，U-I 特性曲線的改變程度也加大。

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ZnO壓敏電阻器的結構：

晶粒體為電阻率很低的半導體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結構松弛，雜質占據這些位置比占據體內晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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