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東莞市源林電子科技有限公司
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    電壓比與殘壓UR

    電壓比指壓敏電阻器的電流為1mA時產生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時產生的電壓值之比。

    殘壓UR是指特定波形的浪涌電流流入壓敏電阻器時,它兩端電壓的峰值。一般來說,流入壓敏電阻器的浪涌電流的峰值都在1mA以上,對通用壓敏電阻和防雷型壓敏電阻而言,所謂特定波形指的是IEC本60060-2: 1973標準規定的8/20 μs標準雷電流波形。

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    晶粒邊界到晶粒的電位陡降發生在≈50 ̄100nm 的距離內,稱為耗盡層。這樣, 在每個晶粒邊界處都存在晶粒邊界向兩側延展入相鄰晶粒 的耗盡層。晶粒間存在耗盡層提高了壓敏電阻的作用。 晶粒邊界兩側兩個耗盡層的存在,使得  ZnO  壓敏電 阻對極性變化不敏感。在這一方面,壓敏電阻像一個背對 背的二極管。進一步說,由于晶粒邊界附近區域的電子被 耗盡,當施加外電壓時,跨在晶粒邊界上出現一電壓降。 這被稱作勢壘電勢,一般是≈2 ̄4V/(每晶粒邊界)。

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