壓敏電阻、廠貨直銷，質量保證、抗浪涌高溫壓敏電阻：

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ZnO壓敏電阻器的結構：

晶粒體為電阻率很低的半導體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結構松弛，雜質占據這些位置比占據體內晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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擊穿區：壓敏電阻器兩端施加一大于壓敏電壓的過電壓時，其導電屬于隧道擊穿電子電導機理(Rb與Rg相當)，其伏安特性呈優異的非線性電導特性，即：

通過壓敏電阻器的電流                   與配方和工藝有關的常數

I=CVα其中

壓敏電阻器兩端的電壓                  α為非線性系數，一般大于30

由上式可見，在擊穿區，壓敏電阻器端電壓的微小變化就可引起電流的急劇變化，壓敏電阻器正是用這一特性來抑制過電壓幅值和吸收或對地釋放過電壓引起的浪涌能量。

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